| 型号： | IRL3502L | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N-CH 20V 110A TO-262 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRL3502L PDF |  |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7 毫欧 @ 64A，7V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4700pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 140W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | TO-262-3 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRL3502L |